赫伯特·克罗默（Herbert Kroemer）于1928年8月25日出生于魏玛的一个工匠家庭。他的父母没有接受过大学教育，但他们意识到了教育的重要性，确保了赫伯特·克罗默拥有最好的受教育机会。在学校里，赫伯特·克罗默经常受到纪律处罚，因为他回
忆说，他经常感到无聊。对于一个对科学特（别是数学和物理）着迷的年轻人来说，学校的课程和所讨论的问题并没有挑战性。物理老师甚至允许年轻的赫伯特·克罗默帮助准备课程并上部分的课程。
赫伯特·克罗默 – 职业生涯的开始
赫伯特·克罗默于1947年中学毕业，进入耶拿大学学习物理。这已是苏联与西方冲突日益加剧的时期，学术中心越来越多地受到莫斯科共产党当局的攻击。学生和老师们都受到压制，被拘留和驱逐出境。与此同时，德国人从东德逃往西柏林，并继续逃往法国、英国和美国。1950年代末，赫伯特·克罗默在柏林的西门子工厂实习，并决定是时候逃走了。他设法离开柏林前往哥廷根，在耶拿老师们的帮助下，他得以在乔治奥古斯特大学开始学习。
他的兴趣在实验物理学上，但该专业学生名额有限，这意味着他最终转向了理论研究。他的毕业研究方向（晶体管）当时仍不是非常受欢迎（他在24岁的年龄就获得了学位），但事实证明，晶体管是未来。
赫伯特·克罗默的远见 - HBT晶体管和激光二极管
尽管赫伯特·克罗默 (Herbert Kroemer) 取得了很多成就，但他无法发展他的学术生涯，因为大学没有任何的职位空缺。然而，他设法在一个为德国邮政工作的研究团队中找到了工作。在那，他面临着日益增长的电信行业的实际挑战，又能继续进行研究。继续的研究导致开发了能够处理高频信号的HBT晶体管的首个理论。当时，缺乏制造此类元件的技术以及它们的实际应用，但今天我们很难想象在没有HBT晶体管的情况下无线电频率上运行的设备如何实现功能。这一发现使得赫伯特·克罗默有机会前往美国，他于1954年移居美国，并在普林斯顿、帕洛阿尔托和圣巴巴拉实验室工作。在那，他于1963年取得了另一项重大成就，这一次是半导体激光器。与HBT晶体管的情况一样，这一次 赫伯特·克罗默的发现也曾面临困难，项目没有获得资金资助，因为缺乏可从此类解决方案中受益的技术。然而，这个项目并没有被遗忘，今天，基于赫伯特·克罗默所开发的理论，我们可在测距仪、数据阅读器和光纤系统中应用激光二极管。
在接下来的几年里，这位德国物理学家致力于发展半导体技术，探索使用镓、铟和铝化合物的可能性。2000年，他与佐雷斯·阿尔菲奥罗（Żores Alfiorow）一起获得了诺贝尔物理学奖，奖励他对半导体和光电子学的研究所做出的贡献。
如前所述，许多现代技术都是基于赫伯特·克罗默（Herbert Kroemer）的发现。不仅上述工具基于激光技术，还有工业传感器和安全设备，这加速了许多商品的大规模生产。同时，得益于专用模块，业余人士和技术人员也能接触到的GSM通信仍然是近几十年来最伟大的技术突破之一。赫伯特·克罗默也为现代电子产品中使用的所有通信设备的小型化做出了贡献。
当然，他个人并不对基于他的发现所建立的应用范围（例如：二极管和激光模块和蜂窝网络中继）负责，但他是那些在计算机开发领域又向前迈出重要一步的科学家之一。赫伯特·克罗默的经历也在提醒我们，发明家在家庭作坊中建造原型产品的时代已一去不复返了，而今天是科学、耐心和强大理论知识将技术推向新高度。
