单极晶体管的最大优势之一是其能够处理大电流。这允许使用数字电子系统（如微控制器）来控制相对较大的负载。我们今天推荐的德国品牌Diotec Semiconductor的DIT050N06-DIO晶体管就是专为此类应用而设计的产品示例。
DIT050N06-DIO型号是N型沟道MOSFET晶体管。产品封装于TO220AB外壳中，即具有集成的散热器，可以高效地散发元件中所产生的热量。通过将晶体管与更大的导热表面结合，并使用散热器和主动冷却模块（带风扇），可进一步改进散热过程。如此，MOSFET将适用于处理大直流电流。DIT050N06-DIO构造允许在 100°C的温度（90A 脉冲）下以35A的电流运行。其完整的耐热范围为从-55°C至150°C。漏极和源极之间的允许电压高达60V，而沟道的典型导通电阻为14mΩ。晶体管的开关时间也很短。
还值得注意的是，该元件不会因高达245mJ的雪崩击穿而损坏，这在控制感性负载（电机）时尤为重要。
该组件的一个重要特性是低阈值电压（甚至 1.4V）。这使得DIT050N06-DIO晶体管可适用于大多数数字电路。更重要的是，极低的栅极容量转化为低能量损耗和组件的高效运行，其中包括，允许直接从微控制器进行控制（无需使用专用驱动器）。Diotec Semiconductor元件的典型应用包括电动工具等电池供电设备以及DC/DC转换器、充电器、无刷电机控制器 (BLDC)等。
| 特性 | |
|---|---|
| 晶体管类型: | N-MOSFET |
| 极性: | 单极 |
| 漏源电压: | 60V |
| 漏极电流: | 35A |
| 脉冲漏极电流: | 90A |
| 耗散功率: | 85W |
| 外壳: | TO220AB |
| 栅源电压: | ±20V |
| 导通电阻: | 14mΩ |
| 安装: | THT |
| 栅极电荷: | 50nC |
| 包装类型: | 管包装 |
| 沟道类型: | 丰富型 |
| 散热器厚度: | 最厚1.2mm |
*视型号而定
