Taiwan Semiconductor是最大的半导体制造商之一，公司提供各种丰富的齐纳二极管。在TME目录中所提供的产品中，值得推荐的有BZX55系列产品。这些是耗散功率高达500mW和多种齐纳电压选择的小型二极管，并提供通孔安装 (THT)的DO-35外壳。
齐纳二极管工作于反向偏压（阴极“正”），其关键参数是击穿电压，并具有高精度(精度±5%)。当达到此电压阈值后，二极管开始导通，从而限制了进一步的电压升高。二极管的设计允许生产具有不同齐纳电压的元件 - 从2.7V开始。因此，产品可应用于稳压系统、电源、转换器或电压限制器。
| 特性: | |
|---|---|
| 二极管类型 | 齐纳二极管 |
| 功耗 | 0.5W |
| 齐纳电压* | 从2.7V到15V |
| 齐纳电流 | 5mA |
| 包装类型 | 卷/带 |
| 外壳 | DO35 |
| 安装 | THT |
| 精度 | ±5% |
| 半导体结构 | 单二极管 |
| 漏电流* | 0.1µA, 0.5µA至10µA |
* 取决于型号
产品概述
| 符号 | 齐纳电流 [mA] |
齐纳电压 [V] |
精度 [%] |
漏电流 [µA] |
|---|---|---|---|---|
| BZX55C2V7-R0 | 5 | 2.7 | ±5 | 10 |
| BZX55C4V7-R0 | 5 | 4.7 | ±5 | 0.5 |
| BZX55C5V1-R0 | 5 | 5.1 | ±5 | 0.1 |
| BZX55C5V6-R0 | 5 | 5.6 | ±5 | 0.1 |
| BZX55C6V2-R0 | 5 | 6.2 | ±5 | 0.1 |
| BZX55C6V8-R0 | 5 | 6.8 | ±5 | 0.1 |
| BZX55C8V2-R0 | 5 | 8.2 | ±5 | 0.1 |
| BZX55C10-R0 | 5 | 10 | ±5 | 0.1 |
| BZX55C12-R0 | 5 | 12 | ±5 | 0.1 |
| BZX55C15-R0 | 5 | 15 | ±5 | 0.1 |
