Wayon公司MOSFET晶体管

源自上海材料研究所的Wayon公司提供采用WMOS™ C2技术制造的MOSFET晶体管。其允许获得非常低的导通电阻（甚至 99mΩ）且低开启晶体管功率。这完美适用于设备能源效率是关键的任何地方。

这些产品采用专为通孔安装而设计的TO220、TO247、TO251、TO262外壳。产品的最大漏源电压为 600V（栅极和源极之间 ±30V），漏极电流范围为 5A 至 38A（取决于所选型号）。

所介绍的Wayton晶体管适用于电源和转换器、LED 控制和相关应用。