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USD 0.36
物品 SKU: | SI2356DS-T1-GE3 |
MPN: | SI2356DS-T1-GE3 |
制造商: | VISHAY |
金额 | 价格 |
---|---|
1+ | USD 0.360 |
10+ | USD 0.264 |
25+ | USD 0.211 |
100+ | USD 0.148 |
250+ | USD 0.131 |
500+ | USD 0.117 |
1000+ | USD 0.106 |
3000+ | USD 0.101 |
9000+ | USD 0.099 |
USD
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制造商 | VISHAY |
晶体管类型 | N-MOSFET |
技术 | TrenchFET® |
极化 | 单极 |
漏极-源极电压 | 40V |
漏极电流 | 4.3A |
脉冲漏极电流 | 20A |
耗电 | 1.7W |
封装 | SOT23 |
栅极-源极电压 | ±12V |
开启状态电阻 | 70mΩ |
安装方式 | SMD |
栅极电荷 | 13nC |
包装类型 | 卷, 胶带 |
通道种类 | 增强 |
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